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La différence entre le carbure de silicium α-SiC et le carbure de silicium β-SiC

Français Il existe très peu de carbures de silicium naturels, et les matières premières synthétiques utilisées industriellement, communément appelées corindon, sont un composé à liaison covalente typique. (1) Propriétés du carbure de silicium : Il existe deux principales formes cristallines de carbure de silicium : le b-SiC et l’a-SiC. Le b-SiC est une structure de sphalérite cubique à faces centrées avec une constante de réseau a=0,4359nm. L’a-SiC est une structure haute température du SiC, qui appartient au système cristallin hexagonal. Il existe de nombreuses variantes. Le carbure de silicium produit par Jinmeng New Materials est le a-SiC.

Français L’indice de réfraction du carbure de silicium est très élevé, soit 2,6767~2,6480 sous la lumière ordinaire. La densité du carbure de silicium sous diverses formes cristallines est proche, a-SiC est généralement de 3,217 g/cm3, b-SiC est de 3,215 g/cm3. Carbure de silicium pur Il est incolore et transparent, et le SiC industriel devient vert clair ou noir en raison d’impuretés telles que Fe, Si et C libres. La dureté du carbure de silicium vert et du carbure de silicium noir est fondamentalement la même à température ambiante et à haute température. Le coefficient de dilatation thermique du SiC n’est pas élevé, et le coefficient de dilatation thermique moyen est de 4,5×10-6/℃ à 25~1400℃. Le carbure de silicium a une conductivité thermique très élevée, qui est de 64,4 W/(m·K) à 500°C. Le SiC est un semi-conducteur à température ambiante.

Le carbure de silicium présente les caractéristiques de résistance aux températures élevées, de résistance à l’usure, de résistance à l’érosion, de résistance à la corrosion et de poids léger. L’oxydation du carbure de silicium à haute température est la principale cause de ses dommages. (2) Synthèse du carbure de silicium : la méthode de fusion du nouveau matériau Jinmeng carbure de silicium. Les matières premières utilisées pour la synthèse du carbure de silicium sont principalement des gangues avec SiO2 comme composant principal. Le carbure de silicium de qualité inférieure peut utiliser de l’anthracite à faible teneur en cendres comme matière première, et les matières premières auxiliaires sont la sciure de bois et le sel de table.

De nombreux clients sont en train de tester la conductivité thermique et électrique, en raison de la résistance élevée, de la résistance à la corrosion, de la résistance à haute température et à l’usure de l’Al2O3 et d’autres matériaux, la stabilité n’est pas bonne, donc par rapport à la micropoudre de carbure de silicium L’application répond largement aux exigences d’utilisation de certains clients.
L’α-SiC et le β-SiC sont une autre incarnation de la cristallisation et des performances selon différentes méthodes de production. L’α-SiC est le bloc d’origine des produits en carbure de silicium conventionnels actuellement sur le marché. Il s’agit d’un produit de transformation cristalline après four à résistance et frittage à haute température à 1800°C. Et le β-SiC est un β-SiC de haute technologie, de haute cristallisation et de haute pureté obtenu par trois méthodes de production : la méthode laser, la méthode plasma et la combinaison en phase solide. Et seules quelques entreprises au monde sont actuellement connues pour être capables de le faire.
En tant que matériau semi-conducteur, le β-SiC est plusieurs fois supérieur à l’α-Sic. Étant donné que le β-SiC possède une structure en diamant en tant que matériau de meulage et de polissage de précision, le β-SiC a une efficacité de meulage bien supérieure à celle du corindon blanc et du α-SiC, et peut améliorer considérablement la finition du produit.
En fait, c’est plus simple. À l’heure actuelle, le β-SiC est un produit en carbure de silicium raffiné qui est proche de la phase cristalline et de la structure en diamant et qui a une fonctionnalité supérieure à celle du α-SiC ordinaire.

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