天然碳化矽的含量很少，工業上採用的合成原料，俗稱剛玉，是典型的共價鍵化合物。 (1)碳化矽的性質：碳化矽主要有兩種晶型：b-SiC和a-SiC。 b-SiC是面心立方閃鋅礦結構，晶格常數a=0.4359nm。 a-SiC是SiC的高溫結構，屬於六方晶系。它有很多變體。金孟新材生產的碳化矽為a-SiC。
碳化矽的折射率很高，在普通光下為2.6767~2.6480。各種晶型碳化矽的密度接近，a-SiC一般為3.217g/cm3，b-SiC為3.215g/cm3。純碳化矽無色透明，工業SiC因含有遊離Fe、Si、C等雜質而變成淺綠色或黑色。 SiC的熱膨脹係數不大，在25~1400℃時平均熱膨脹係數為4.5×10-6/℃。碳化矽具有非常高的導熱係數，500℃時為64.4W/(m·K)。 SiC在室溫下是一種半導體。
碳化矽具有耐高溫、耐磨、耐沖蝕、耐腐蝕、重量輕等特性。碳化矽在高溫下的氧化是其損壞的主要原因。 (2)碳化矽的合成：金孟新材料碳化矽的冶煉方法。合成碳化矽所用的原料主要是以SiO2為主要成分的脈石。低品位碳化矽可用低灰分無菸煤為原料，輔助原料為鋸末、食鹽。
許多客戶在測試導熱、導電性能的過程中，由於Al2O3等材料強度高、耐腐蝕、耐高溫、耐磨，穩定性不好，所以與碳化矽微粉相比，其應用很大程度上滿足了部分客戶的使用需求。
α-SiC和β-SiC是根據不同生產方法的結晶和性能的另一種體現。 α-SiC是目前市面上常規碳化矽產品的原塊。是經電阻爐、1800℃高溫燒結後的晶型轉變產物。而β-SiC是採用雷射法、等離子法、固相組合三種生產方法所得到的高科技、高結晶、高純度的β-SiC。而目前已知世界上能夠做到這一點的公司屈指可數。
作為半導體材料，β-SiC的導電性能比α-SiC高數倍。由於β-SiC具有鑽石結構，作為精密研磨拋光材料，β-SiC比白剛玉和α-SiC具有高得多的研磨效率，並且可以大大提高產品光潔度。 。
事實上，它更簡單。目前β-SiC是一種精製碳化矽產品，其晶相和鑽石結構接近，比普通α-SiC具有更高的功能性。
